SJ/T 11586-2016 半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法

资料名称：SJ/T 11586-2016 半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法
英文名称：l0keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices
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标准类型：行业标准
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资料介绍

本标准规定了使用 X 射线辐射仪（光子平均能量约 10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。