SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量
- 资料名称:SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量
- 英文名称:Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 7:Radiant flux
- 文件大小:
- 标准类型:行业标准
- 标准语言:简体中文
- 授权形式:免费
- 文件类型:PDF
- 下载次数:3 加入收藏
- 标签:
资料介绍
规定了半导体红外发射二极管辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
相关资料
- SJ/T 2867-2022 电子设备用固定电阻器详细规范 RI40 型玻璃釉膜低功率固定电阻器 评定水平 E
- SJ/T 11913-2023 电子设备共模和差模骚扰测量方法
- SJ/T 11870-2022 照明用光传感器的性能测试方法
- SJ/T 11856.1-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第1部分:光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导
- SJ/T 11855-2022 光伏用紫外老化试验箱辐照性能测试方法
- SJ/T 11460.6.3-2022 显示光源组件 第6-3部分:测试方法LED发光条光电参数
- SJ/T 11817-2022 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范
- SJ/T 11548.2-2022 信息技术 社会服务管理 三维数字社会服务管理系统技术规范 第2部分:基础数据库
- SJ/T 10495-2016 频率低于3MHz的印制板用连接器 第11部分:同轴连接器 (自由连接器和固定连接器尺寸)详细规范
- SJ/T 11841.5.1-2023 显示系统视觉舒适度 第5-1部分:大尺寸显示屏最大亮度要求
